年度：2006
論文類型：會議論文 / 壁報論文
論文等級：EI
論文名稱(篇名)：Broad and flat emission spectrum from InGaAs/InGaAlAs asymmetric multiple quantum wells: effect of well-width and modulation-doping profiles
會議名稱：Indium Phosphide and Related materials (IPRM’06)
會議開始時間：2006-05-00
會議結束時間：2006-05-00
作者中文名：馮瑞陽
作者英文名：(David) Jui-Yang, Feng
全部作者：C. Y. Chen, C. F. Liang, David J. Feng, E.Y. Lin, T. S. Lay, T. Y. Chang, G. Lin, K. F. Lin, and J. Y. Chi
著作人數：8
作者型態：Corresponding Author
會議地點：Princeton, USA
使用語言：英文
