A New Quasi 2D Interface Trapped Charge Degraded Subthreshold Current Model for Junctionless Surrounding-Gate (JLSRG) MOSFETs
- 年度：2015
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：SCI
- 論文名稱(篇名)：A New Quasi 2D Interface Trapped Charge Degraded Subthreshold Current Model for Junctionless Surrounding-Gate (JLSRG) MOSFETs
- 會議名稱：2015 IEEE International Symposium on next generation electronics (ISNE2015)
- 會議開始時間：2015-05-04
- 會議結束時間：2015-05-06
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T.K. Chiang, and Yi-Hung Chiu
- 著作人數：2
- 作者型態：First Author
- 會議地點：Taipei,Taiwan
- 使用語言：
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