A Two-dimensional Short-Channel Model for Threshold Voltage of Tri-Gate (TG) MOSFETs with Localized Trapped Charges
- 年度：2011
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A Two-dimensional Short-Channel Model for Threshold Voltage of Tri-Gate (TG) MOSFETs with Localized Trapped Charges
- 會議名稱：2011 IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
- 會議開始時間：2011-11-17
- 會議結束時間：2011-11-18
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang and Duo-Han Chang(張鐸瀚)
- 著作人數：2
- 作者型態：First Author
- 會議地點：Tianjin,China
- 使用語言：
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