A New Two-dimensional Threshold Voltage Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET's”
- 年度：2009
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：SCI / 其他
- 論文名稱(篇名)：A New Two-dimensional Threshold Voltage Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET's”
- 會議名稱：Electronic Technology Symposium
- 會議開始時間：2009-06-19
- 會議結束時間：2009-06-19
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T.K. Chiang, He jia-jiang , and Chen Shih-Fang,
- 著作人數：3
- 作者型態：
- 會議地點：
- 使用語言：英文
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