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100年度：環繞閘極金氧半場效電晶體含氧化層之界面缺陷電荷次臨界行為模型

計畫名稱：環繞閘極金氧半場效電晶體含氧化層之界面缺陷電荷次臨界行為模型
執行起迄：2011/08/01~2012/07/31
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