W.H. Lan, Kuo-Chin Huang, Kai Feng Huang, Jia-Ching Lin, Yi-Cheng Cheng, Wen-Jen Lin,"Annealing of defect states in reactive ion etched GaN" , Journal of Physics and Chemistry of Solids , vol.69 , Issues 2-3 , pp719-723 ,2009, (其他)
出版日期 2009-02-00
期刊等級 其他
論文名稱(篇名) Annealing of defect states in reactive ion etched GaN
期刊名 Journal of Physics and Chemistry of Solids
卷數 vol.69
期數 Issues 2-3
起頁 719
迄頁 723
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 W.H. Lan, Kuo-Chin Huang, Kai Feng Huang, Jia-Ching Lin, Yi-Cheng Cheng, Wen-Jen Lin
著作人數 6
作者型態 First Author
使用語言 英文
期刊等級 其他
論文名稱(篇名) Annealing of defect states in reactive ion etched GaN
期刊名 Journal of Physics and Chemistry of Solids
卷數 vol.69
期數 Issues 2-3
起頁 719
迄頁 723
作者中文名 藍文厚
作者英文名 Wen-How Lan
全部作者 W.H. Lan, Kuo-Chin Huang, Kai Feng Huang, Jia-Ching Lin, Yi-Cheng Cheng, Wen-Jen Lin
著作人數 6
作者型態 First Author
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