"A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET’s" , Microelectronics Reliability , vol.49 , no.2 , pp113-119 ,2009, (SCI)

出版日期：2009-02-00

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)： A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Short-channel Tri-material Gate-stack SOI MOSFET’s

期刊名：Microelectronics Reliability

卷數：vol. 49

期數：no.2

起頁：113

迄頁：119

總頁數：7

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：T.K. Chiang

著作人數：1

作者型態：First Author / Corresponding Author

使用語言：英文

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