"A New Threshold Voltage Model for Symmetrical Double-Gate MOSFET，s with High-K Gate Dielectrics" , Solid-State Electronics , vol.51 , no.3 , pp387-393 ,2007, (SCI)

出版日期：2007-03-00

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)： A New Threshold Voltage Model for Symmetrical Double-Gate MOSFET，s with High-K Gate Dielectrics

期刊名：Solid-State Electronics

卷數：vol.51

期數：no.3

起頁：387

迄頁：393

總頁數：6

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：T. K. Chiang, M.L.Chen

著作人數：2

作者型態：First Author / Corresponding Author

使用語言：英文

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