貴儀名稱

電漿耦合式離子蝕刻系統

Inductive Couple Plasma Etching System

儀器說明

購置年月 ：96 年 12 月 24 日

廠牌及型號：Cirie-200

儀器設備說明

上電極:a. ICP Window: 13.56 MHz RF Power; b.製程氣體進氣裝置: 製程氣體總閥與氣體盤面隔離，製程氣體進入後以分氣裝置均勻分氣。

下電極: RF導入a.鋁合金電極 b.電極尺寸:ψ220mm For 7 × 2” Wafer

保管人

藍文厚老師

服務項目

薄膜蝕刻，可蝕刻種類：

絕緣體：SiO2，Si3N4，Al 2O3，....

半導體： Si，Ge，GaAs，GaN，....

透明導電膜 : ITO，ZnO，..(不包含金屬基材)

可通入氣體：Cl2、Ar、N 2 、O2 、CF 4 、BCl3。

貴儀圖片