出版日期：2012-08-00
期刊等級：SCI
論文名稱(篇名)：Reliability Improvement of 28-nm High-k/Metal Gate-Last MOSFET Using Appropriate Oxygen Annealing
期刊名：IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
卷數：33
期數：8
起頁：1183
迄頁：1185
作者中文名：葉文冠
作者英文名： Wen-Kuan Yeh
全部作者：CYi-Lin Yang, Wenqi Zhang, Chi-Yun Cheng, Yi-Ping Huang, Pin-Tseng Chen, Chia-Wei Hsu, Li-Kong Chin, Chien-Ting Lin, Che-Hua Hsu, Chien-Ming Lai, and Wen-Kuan Yeh
著作人數：11
作者型態：Other
