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"NBTI reliability on high-k metal-gate SiGe transistor and circuit performances" , Microelectron. Reliab. , 51 , 5 , pp914-918 ,2011, (SCI)

  • 出版日期：2011-05-00
  • 期刊等級：SCI
  • 論文名稱(篇名)：NBTI reliability on high-k metal-gate SiGe transistor and circuit performances
  • 期刊名：Microelectron. Reliab.
  • 卷數：51
  • 期數：5
  • 起頁：914
  • 迄頁：918
  • 總頁數：5
  • 作者中文名：葉文冠
  • 作者英文名： Wen-Kuan Yeh
  • 全部作者：Jiann-Shiun Yuan, Wen-Kuan Yeh, Shuyu Chen and Chia-Wei Hsu
  • 著作人數：4
  • 作者型態：Other
  • 使用語言：英文
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