出版日期：2010-05-00
期刊等級：SCI
論文名稱(篇名)：Improvement of TDDB reliability, characteristics of HfO2 high-k/metal gate MOSFET device with oxygen post deposition annealing
期刊名：Microelectronics Reliability
卷數：50
期數：5
起頁：618
迄頁：621
總頁數：4
作者中文名：葉文冠
作者英文名：Wen-Kuan Yeh
全部作者：Chia-Wei Hsu, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chun-Yu Chen, Yen-Ting Chiang , Feng-Renn Juang, Chien-Ting Lin, and Chien-Ming Lai
著作人數：8
作者型態：Corresponding Author
使用語言：英文
