"Impact of Fin Width and Back Bias Under Hot Carrier Injection on Double-Gate FinFETs" , IEEE Transaction on Device and Materials Reliability , 12 , 3 , pp1-4 , (SCI)

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)：Impact of Fin Width and Back Bias Under Hot Carrier Injection on Double-Gate FinFETs

期刊名： IEEE Transaction on Device and Materials Reliability

卷數：12

期數：3

起頁：1

迄頁：4

總頁數：4

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：Wen-Teng Chang,Li-Gong Cin, Wen-Kuan Yeh

著作人數：3

作者型態：Corresponding Author

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