"Characterization and Improvement of Charge Trapping in Gd incoporatrated Hf based high-k/Metal gate nMOSFET",Solid-State Device and Materials,Sendi, Japan,2012/10/07-2012/10/09 (SCI)

年度：2012

論文類型：海報展示

論文等級：SCI

論文名稱(篇名)：Characterization and Improvement of Charge Trapping in Gd incoporatrated Hf based high-k/Metal gate nMOSFET

會議名稱：Solid-State Device and Materials

會議開始時間：2012-10-07

會議結束時間：2012-10-09

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：C.W. Chen ,C.T. Lin , W.K. Yeh

著作人數：3

作者型態：Other

會議地點：Sendi, Japan

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