"Characterization the Random Telegraph Noise in High-k/Metal gate device for 32nm nMOSFETs and pMOSFET",Solid-State Device and Materials,Tokyo, Japan,2010/09/20-2010/09/23 (SCI)
年度：2010
論文類型：口頭報告
論文等級：SCI
論文名稱(篇名)：Characterization the Random Telegraph Noise in High-k/Metal gate device for 32nm nMOSFETs and pMOSFET
會議名稱：Solid-State Device and Materials
會議開始時間：2010-09-20
會議結束時間：2010-09-23
作者中文名：葉文冠
作者英文名：Wen-Kuan Yeh
全部作者：W. K. Yeh, C. W. Hsu, Y. K. Fang, C. Y. Chen, C. T. Lin, P. Y. Chen
