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"Hot Carrier Injection on Back Biasing Double-Gate FinFET with 10 and 25-nm Fin Width",2014 21th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA),新加坡,2014/06/30-2014/07/04

年度 2014
論文類型 會議論文
論文名稱(篇名) Hot Carrier Injection on Back Biasing Double-Gate FinFET with 10 and 25-nm Fin Width
會議名稱 2014 21th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
會議開始時間 2014-06-30
會議結束時間 2014-07-04
作者中文名 張文騰
作者英文名 Wen-Teng Chang
全部作者 Wen-Teng Chang, Li-Gong Cin, Wen-Kuan Yeh, Po-Ying Chen
著作人數 4
作者型態 First Author / Corresponding Author
會議地點 新加坡
使用語言 英文
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