"A Compact Model for Threshold Voltage of Surrounding-gate MOSFETs with Localized Interface Trapped Charges" , IEEE Trans. on Electron Devices , Vol. 58 , No. 2 , pp561-571 ,2011, (SCI),(AHCI)
出版日期：2011-02-00
期刊等級：SCI / AHCI
論文名稱(篇名)：A Compact Model for Threshold Voltage of Surrounding-gate MOSFETs with Localized Interface Trapped Charges
期刊名：IEEE Trans. on Electron Devices
卷數：vol. 58
期數：no.2
起頁：561
迄頁：571
總頁數：10
作者中文名：江德光
作者英文名：Te-Kung Chiang
全部作者：T.K. Chiang
著作人數：1
作者型態：First Author / Corresponding Author
使用語言：英文
