"A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs" , Microelectronics Reliability , vol.47 , no.2-3 , pp379-383 ,2006, (SCI)

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"A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs" , Microelectronics Reliability , vol.47 , no.2-3 , pp379-383 ,2006, (SCI)

出版日期：2006-03-00

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)： A New Threshold Voltage Model for Cylindrical, Fully-depleted, Surrounding-gate(SG) MOSFETs

期刊名：Microelectronics Reliability

卷數：vol. 47

期數：no.2-3

起頁：379

迄頁：383

總頁數：5

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：T.K. Chiang

著作人數：1

作者型態：First Author / Corresponding Author

使用語言：英文

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