<li><span style="color:#0000ff;">出版日期</span>：2004-10-00</li>
<li><span style="color:#0000ff;">期刊等級</span>：SCI </li>
<li><span style="color:#0000ff;">論文名稱(篇名)</span>： A Novel Scaling-Parameter-Dependent Subthreshold Swing Model for Double-Gate(DG) SOI MOSFETs: Including Effective Conducting Path Effect(ECPE)</li>
<li><span style="color:#0000ff;">期刊名</span>：Semiconductor Science and Technology</li>
<li><span style="color:#0000ff;">卷數</span>：vol.19</li>
<li><span style="color:#0000ff;">期數</span>：no.12</li>
<li><span style="color:#0000ff;">起頁</span>：1386</li>
<li><span style="color:#0000ff;">迄頁</span>：1390</li>
<li><span style="color:#0000ff;">總頁數</span>：5</li>
<li><span style="color:#0000ff;">作者中文名</span>：江德光</li>
<li><span style="color:#0000ff;">作者英文名</span>：Te-Kung Chiang</li>
<li><span style="color:#0000ff;">全部作者</span>：T.K. Chiang</li>
<li><span style="color:#0000ff;">著作人數</span>：1</li>
<li><span style="color:#0000ff;">作者型態</span>：First Author / Corresponding Author </li>
<li><span style="color:#0000ff;">使用語言</span>：英文 </li>
</ul>