A quasi-2D threshold voltage model for short-channel junctionless double-gate MOSFET’s
- 年度：2012
- 論文類型：口頭報告
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A quasi-2D threshold voltage model for short-channel junctionless double-gate MOSFET’s
- 會議名稱：2012 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC)
- 會議開始時間：2012-12-03
- 會議結束時間：2012-12-05
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang
- 著作人數：1
- 作者型態：First Author
- 會議地點：Bankok, Thailand
- 使用語言：
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