A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Tri-material Gate-Stack SOI MOSFET's December 20-22. (Invited Paper)
- 年度：2008
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A New Two-dimensional Analytical Subthreshold Behavior Model for Tri-material Gate-Stack SOI MOSFET's December 20-22. (Invited Paper)
- 會議名稱：2008 IEEE International Conference on Eldectron Devices and Solid-State Circuits
- 會議開始時間：2008-12-20
- 會議結束時間：2008-12-22
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T.K. Chiang
- 著作人數：1
- 作者型態：
- 會議地點：Tainan, Taiwan
- 使用語言：英文
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