A new analytical model for subthreshold behavior in nano-meter asymmetrical dual material double gate MOSFET’(ADMDG) MOSFETs pp. 286-287
- 年度：2007
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A new analytical model for subthreshold behavior in nano-meter asymmetrical dual material double gate MOSFET’(ADMDG) MOSFETs pp. 286-287
- 會議名稱：2007 International Symposium on Nano Science and Technology
- 會議開始時間：2008-03-02
- 會議結束時間：2008-03-02
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T.K. Chiang and T. H. Chiang
- 著作人數：3
- 作者型態：
- 會議地點：Tainan, Taiwan.
- 使用語言：英文
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