"Impacts of Notched-Gate Structure on Contact Etch Stop layer (CESL)Stressed 90-nm nMOSFET" , IEEE Electron Device Letters , 28 , 5 , pp376-378 ,2007, (SCI),(EI)

出版日期：2007-05-00

期刊等級：SCI / EI

論文名稱(篇名)：Impacts of Notched-Gate Structure on Contact Etch Stop layer (CESL)Stressed 90-nm nMOSFET

期刊名：IEEE Electron Device Letters

卷數：28

期數：5

起頁：376

迄頁：378

總頁數：3

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：Chien-Ting Lin, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chieh-Ming Lai, Che-Hua Hsu, Li-Wei Cheng, and Guang Hwa Ma

著作人數：7

作者型態：Corresponding Author

使用語言：英文

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