"The Study on Width Quantization impact on Device Performance and Reliability for high-k/metal Tri- Gate FinFET",IEEE Proceedings of EDSSC,Singapore,2015/06/01-2015/06/05 (SCI)

年度：2015

論文類型：會議論文

論文等級：SCI

論文名稱(篇名)：The Study on Width Quantization impact on Device Performance and Reliability for high-k/metal Tri- Gate FinFET

會議名稱：IEEE Proceedings of EDSSC

會議開始時間：2015-06-01

會議結束時間：2015-06-05

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：Wen-Kuan Yeh, Wenqi Zhang and Yi-Lin Yang

著作人數：3

作者型態：First Author

會議地點：Singapore

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