"A Unified Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs" , IEEE Trans on Nanotechnology , 16 , 2 , pp281-289 ,2018, (SCI)

出版日期：2018-02-00

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)：A Unified Quasi-3D Subthreshold Behavior Model for Multiple-Gate MOSFETs

期刊名：IEEE Trans on Nanotechnology

卷數：16

期數：2

起頁：281

迄頁：289

總頁數：9

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：Juin J. Liou, Hong-Wun Gao, Yeong-Her Wang and Te-Kuang Chiang

著作人數：4

作者型態：Corresponding Author

使用語言：英文

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