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"A Novel Quasi-3D Threshold Voltage Model for Pi-gate MOSFET with the interface trapped charges" , IEEE Trans on Nanotechnology , 14 , 3 , pp555-560 ,2015, (SCI)

  • 出版日期:2015-03-00
  • 期刊等級:SCI
  • 論文名稱(篇名):A Novel Quasi-3D Threshold Voltage Model for Pi-gate MOSFET with the interface trapped charges
  • 期刊名:IEEE Trans on Nanotechnology
  • 卷數:14
  • 期數:3
  • 起頁:555
  • 迄頁:560
  • 總頁數:6
  • 作者中文名:江德光
  • 作者英文名:Te-Kung Chiang
  • 全部作者:T. K. Chiang(江德光)
  • 著作人數:1
  • 作者型態:First Author / Corresponding Author
  • 使用語言:英文
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