"A new quasi-2-D threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET" , IEEE Trans. on Electron Devices (TED) , vol. 59 , no. 11 , pp3127-3129 ,2012, (SCI)

出版日期：2012-11-00

期刊等級：SCI

論文名稱(篇名)：A new quasi-2-D threshold voltage model for short-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET

期刊名：IEEE Trans. on Electron Devices (TED)

卷數：vol. 59

期數：no.11

起頁：3127

迄頁：3129

總頁數：3

作者中文名：江德光

作者英文名：Te-Kung Chiang

全部作者：T.K. Chiang

著作人數：1

作者型態：First Author / Corresponding Author

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