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A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Cylindrical, Surrounding-Gate (CSRG) MOSFETs

  • 年度:2014
  • 論文類型:口頭報告 / 會議論文
  • 論文等級:其他
  • 論文名稱(篇名):A New Interface-Trapped-Charge-Degraded Subthreshold Current Model for Cylindrical, Surrounding-Gate (CSRG) MOSFETs
  • 會議名稱:ISNE2014
  • 會議開始時間:2014-05-07
  • 會議結束時間:2014-05-10
  • 作者中文名:江德光
  • 作者英文名:Te-Kung Chiang
  • 全部作者:Te-Kuang Chiang, Hong-Wun Gao(高鴻文), Che-Wei Liu, Tsung-Ying Tsou and Yi-Hung Chiu(邱翊紘)
  • 著作人數:5
  • 作者型態:First Author
  • 會議地點:長庚大學
  • 使用語言
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