A New Two-Dimensional Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of the Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistor
- 年度：2010
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A New Two-Dimensional Analytical Model for the Potential Distribution and Threshold Voltage of the Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistor
- 會議名稱：IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
- 會議開始時間：2010-11-01
- 會議結束時間：2010-11-04
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：Te-Kuang Chiang
- 著作人數：1
- 作者型態：First Author / Corresponding Author
- 會議地點：Shanghai, China
- 使用語言：英文
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