A new two dimensional model for dual material surrounding-gate MOSFETs pp.597-600
- 年度：2007
- 論文類型：會議論文
- 論文等級：其他
- 論文名稱(篇名)：A new two dimensional model for dual material surrounding-gate MOSFETs pp.597-600
- 會議名稱：2007 IEEE International Conference on Eldectron Devices and Solid-State Circuits
- 會議開始時間：2007-12-20
- 會議結束時間：2007-12-22
- 作者中文名：江德光
- 作者英文名：Te-Kung Chiang
- 全部作者：T. K. Chiang, M. L. Chen, and H. K. Wang
- 著作人數：3
- 作者型態：
- 會議地點：Tainan, Taiwan.
- 使用語言：英文
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