"Effects of Annealing Temperatures on Ge HfZrOx MOS Capacitors",Symposium on Nano Device Technology (SNDT 2017),新竹奈米電子研究大樓國際會議廳,2017/04/28

年度：2017

論文類型：其他

論文等級：其他

論文名稱(篇名)：Effects of Annealing Temperatures on Ge HfZrOx MOS Capacitors

會議名稱：Symposium on Nano Device Technology (SNDT 2017)

會議開始時間：2017-04-28

會議結束時間：2017-04-28

作者中文名：葉文冠

作者英文名：Wen-Kuan Yeh

全部作者：Yo-Chih Tsou, Chun-Jung Su, Yao-Jen Lee, Fu-Ju Hou, Po-Jung Sung, Chih-Jen Wang, Cheng-Yen Hsieh, Yin-Tseng Tang, Wen-Fa Wu, Wen-Kuan Yeh, and Yeong-Her Wang

著作人數：11

作者型態：Other

會議地點：新竹奈米電子研究大樓國際會議廳

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"Effects of Annealing Temperatures on Ge HfZrOx MOS Capacitors",Symposium on Nano Device Technology (SNDT 2017),新竹奈米電子研究大樓 國際會議廳,2017/04/28

"Effects of Annealing Temperatures on Ge HfZrOx MOS Capacitors",Symposium on Nano Device Technology (SNDT 2017),新竹奈米電子研究大樓國際會議廳,2017/04/28